ポイント
- ヒラギノ明朝W2、11.5pt 行間[固定値]16pt
- 左右インデント0.5字、段落前0.5行
- 研究の背景（自分の研究含む）・問題点・解決すべき点、着想の経緯（アイデア）、研究の長期的なゴール（この学振期間にこだわらない）の３つでそれぞれ段落を構成しています。
解説
低次元半導体レーザーの物理を実験の立場から議論する上での主要な問題は作製および評価の困難さにある。申請者はこれまで、各量子細線のサイズ均一性や境界面の平坦性が世界最高であるT型量子細線を研究対象とし、電極付けプロセスおよび試料構造の見直しを行うことで、1次元半導体レーザーの物理を議論するため基盤を構築してきた。しかし、現状では、注入効率のような電流注入上の問題がデバイス特性に対して支配的になっていることから、これを回避し、一次元系の効果があらわに観測できるような試料構造を開発することが次の課題である。
一般的な背景、申請者のこれまでの研究、問題点を簡潔に説明します。
こうした問題を解決するため、申請者はこれまでに扱っていた試料構造に加えて、電流注入方法が異なるもう一つの電流注入T型量子細線試料に着目した[S.-M.Liu et al. JJAP Part2, 46 L330 (2007) ]。これら二つの構造はドーピング構造および注入方法以外はほぼ同じ構造であるにもかかわらず、それぞれの試料において異なったデバイス特性を示す。このことから、申請者がこれまでに予想した通り、電流注入における問題点がデバイス特性に大きく影響していることが強く示唆され、電流注入を工夫することで、こうした問題を解決できると期待された。
問題点を解決するためのアイデア、その説明を説明します。
そこで、本研究では、それぞれの試料における問題点を各種測定から明らかにし、一つずつその問題を構造から排除していくことにより、電流注入上の問題がデバイス特性に対して支配的にならず、一次元系の効果があらわに観測できるような試料構造を開発することを目的とする。こうした試料構造の開発によって、低次元半導体レーザーの物理を実験の立場から議論できるようになるだけでなく、既存の理論予測[Y. Arakawa et al. APL, 1982; A.Yariv, APL, 1988]とデバイス特性を比較するのに加え、現実の系に即した理論計算を構築・議論していくことが可能となる。